产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BDQ1G
仓库库存编号:
APT30GP60BDQ1G-ND
别名:APT30GP60BDQ1GMP
APT30GP60BDQ1GMP-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 93A 415W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GS60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT50GS60BRDQ2G-ND
别名:APT50GS60BRDQ2GMI
APT50GS60BRDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 143A 625W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264
型号:
APT80GA60LD40
仓库库存编号:
APT80GA60LD40-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 500W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 100A 500W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT60GT60BRG
仓库库存编号:
APT60GT60BRG-ND
别名:APT60GT60BRGMI
APT60GT60BRGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 833W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
型号:
APT65GP60B2G
仓库库存编号:
APT65GP60B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 107A 366W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GN60BDQ2G
仓库库存编号:
APT50GN60BDQ2G-ND
别名:APT50GN60BDQ2GMI
APT50GN60BDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 80A 345W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 80A 345W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT40GT60BRG
仓库库存编号:
APT40GT60BRG-ND
别名:APT40GT60BRGMI
APT40GT60BRGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TO264
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT100GN60LDQ4G
仓库库存编号:
APT100GN60LDQ4G-ND
别名:APT100GN60LDQ4GMI
APT100GN60LDQ4GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 283A 682W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
型号:
APT200GN60B2G
仓库库存编号:
APT200GN60B2G-ND
别名:APT200GN60B2GMI
APT200GN60B2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 65A 290W TO-247
详细描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT36GA60B
仓库库存编号:
APT36GA60B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 110A 446W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GT60BRG
仓库库存编号:
APT50GT60BRG-ND
别名:APT50GT60BRGMI
APT50GT60BRGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 43A 174W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT20GT60BRDQ1G
仓库库存编号:
APT20GT60BRDQ1G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 54A 250W SOT227
详细描述:IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GS60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT30GS60BRDQ2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 65A 290W TO-247
详细描述:IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT36GA60BD15
仓库库存编号:
APT36GA60BD15-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TMAX
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
型号:
APT100GN60B2G
仓库库存编号:
APT100GN60B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
型号:
APT40GP60B2DQ2G
仓库库存编号:
APT40GP60B2DQ2G-ND
别名:APT40GP60B2DQ2GMP
APT40GP60B2DQ2GMP-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 183A 780W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT102GA60L
仓库库存编号:
APT102GA60L-ND
别名:APT102GA60LMI
APT102GA60LMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 56A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GP60BG
仓库库存编号:
APT15GP60BG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 43A 174W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 43A 174W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT20GT60BRG
仓库库存编号:
APT20GT60BRG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 96A 416W TO-247
详细描述:IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT54GA60B
仓库库存编号:
APT54GA60B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 64A 250W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 64A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GT60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT30GT60BRDQ2G-ND
别名:APT30GT60BRDQ2GMI
APT30GT60BRDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 155A 536W TO264
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT75GN60LDQ3G
仓库库存编号:
APT75GN60LDQ3G-ND
别名:APT75GN60LDQ3GMI
APT75GN60LDQ3GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 110A 446W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GT60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT50GT60BRDQ2G-ND
别名:APT50GT60BRDQ2GMI
APT50GT60BRDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 143A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT80GA60B
仓库库存编号:
APT80GA60B-ND
别名:APT80GA60BMI
APT80GA60BMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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IGBT 600V 155A 536W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT75GN60BG
仓库库存编号:
APT75GN60BG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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