产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1000V 80A 333W Through Hole TO-247-3
型号:
FGH40T100SMD
仓库库存编号:
FGH40T100SMD-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 60A 180W TO264
详细描述:IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
型号:
FGL60N100BNTD
仓库库存编号:
FGL60N100BNTDFS-ND
别名:FGL60N100BNTD-ND
FGL60N100BNTDFS
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1000V 80A 333W Through Hole TO-247-3
型号:
FGH40T100SMD_F155
仓库库存编号:
FGH40T100SMD_F155-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
详细描述:IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
型号:
FGA50N100BNTD2
仓库库存编号:
FGA50N100BNTD2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1000V 60A 412W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW30N100TFKSA1
仓库库存编号:
IGW30N100TFKSA1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 60A 180W TO264
详细描述:IGBT NPT and Trench 1000V 60A 180W Through Hole TO-264
型号:
FGL60N100BNTDTU
仓库库存编号:
FGL60N100BNTDTU-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP2N100
仓库库存编号:
IXGP2N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 1000V 60A 463W TO264
详细描述:IGBT NPT and Trench Through Hole TO-264
型号:
GPA042A100L-ND
仓库库存编号:
1560-1225-5-ND
别名:1560-1225-1
1560-1225-1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP2N100A
仓库库存编号:
IXGP2N100A-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 8A 40W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP4N100
仓库库存编号:
IXGP4N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP12N100
仓库库存编号:
IXGP12N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP12N100A
仓库库存编号:
IXGP12N100A-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO263AA
详细描述:IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA12N100
仓库库存编号:
IXGA12N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
详细描述:IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3P
型号:
FGA50N100BNTDTU
仓库库存编号:
FGA50N100BNTDTU-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH10N100A
仓库库存编号:
IXGH10N100A-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP12N100AU1
仓库库存编号:
IXGP12N100AU1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH10N100
仓库库存编号:
IXGH10N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO247AD
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH12N100
仓库库存编号:
IXGH12N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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IXYS
IGBT 1000V 8A 40W TO263AA
详细描述:IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA4N100
仓库库存编号:
IXGA4N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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IXYS
IGBT 1000V 30A 150W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP15N100C
仓库库存编号:
IXGP15N100C-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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IXYS
IGBT 1000V 40A 150W TO263
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA20N100
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IXGA20N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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IXYS
IGBT 1000V 34A 150W TO247AD
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH17N100A
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IXGH17N100A-ND
别名:IXGH20N100A3
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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IXYS
IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH32N100A3
仓库库存编号:
IXGH32N100A3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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IXYS
IGBT 1000V 40A 150W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH20N100
仓库库存编号:
IXGH20N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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IGBT 1000V 30A 150W TO263AA
详细描述:IGBT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA15N100C
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IXGA15N100C-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V,
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