产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRG
仓库库存编号:
APT25GT120BRG-ND
别名:APT25GT120BRGMI
APT25GT120BRGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号:
APT75GP120B2G
仓库库存编号:
APT75GP120B2G-ND
别名:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 240A 1500W TO264
详细描述:IGBT 1200V 240A 1500W Through Hole TO-264 (IXYK)
型号:
IXYK120N120C3
仓库库存编号:
IXYK120N120C3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
详细描述:IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
型号:
HGTD1N120BNS9A
仓库库存编号:
HGTD1N120BNS9ACT-ND
别名:HGTD1N120BNS9ACT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 35A 298W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247
型号:
HGTG10N120BND
仓库库存编号:
HGTG10N120BND-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 326W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW25N120H3
仓库库存编号:
IGW25N120H3-ND
别名:IGW25N120H3FKSA1
SP000674424
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
详细描述:IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
型号:
FGA25N120ANTDTU
仓库库存编号:
FGA25N120ANTDTU-ND
别名:FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW40N120H3
仓库库存编号:
IGW40N120H3-ND
别名:IGW40N120H3FKSA1
SP000667510
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A 375W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 100A 375W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW60T120
仓库库存编号:
IGW60T120-ND
别名:IGW60T120FKSA1
SP000013906
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 64A 500W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 64A 500W Through Hole TO-264
型号:
FGL40N120ANDTU
仓库库存编号:
FGL40N120ANDTU-ND
别名:FGL40N120ANDTU_NL
FGL40N120ANDTU_NL-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH50UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50UDPBF-ND
别名:*IRG4PH50UDPBF
SP001542126
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N120H3
仓库库存编号:
IKW40N120H3-ND
别名:IKW40N120H3FKSA1
SP000674416
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 75A 480W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N120T2
仓库库存编号:
IKW40N120T2-ND
别名:IKW40N120T2FKSA1
SP000244962
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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IXYS
IGBT 1200V 300W TO247AD
详细描述:IGBT PT 1200V 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH30N120B3D1
仓库库存编号:
IXGH30N120B3D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 220A 1150W SUPER247
详细描述:IGBT Trench 1200V 220A 1150W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG7PSH73K10PBF
仓库库存编号:
IRG7PSH73K10PBF-ND
别名:SP001549408
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 105A 595W SUPER247
详细描述:IGBT NPT 1200V 105A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRGPS60B120KDP
仓库库存编号:
IRGPS60B120KDP-ND
别名:*IRGPS60B120KDP
SP001540752
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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STMicroelectronics
IGBT 1200V 60A 220W TO247
详细描述:IGBT 1200V 60A 220W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW30NC120HD
仓库库存编号:
497-5314-5-ND
别名:497-5314-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 298W Through Hole TO-3P
型号:
FGA20N120FTDTU
仓库库存编号:
FGA20N120FTDTUFS-ND
别名:FGA20N120FTDTU-ND
FGA20N120FTDTUFS
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 429W TO247-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 80A 429W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW40N120R3FKSA1
仓库库存编号:
IHW40N120R3FKSA1-ND
别名:SP000999770
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 80A 384W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 384W Through Hole TO-247
型号:
NGTB40N120IHRWG
仓库库存编号:
NGTB40N120IHRWGOS-ND
别名:NGTB40N120IHRWGOS
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH40UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH40UDPBF-ND
别名:*IRG4PH40UDPBF
63-6004PBF
63-6004PBF-ND
SP001537144
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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IXYS
IGBT 1200V 40A 180W TO220
详细描述:IGBT PT 1200V 40A 180W Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP20N120A3
仓库库存编号:
IXGP20N120A3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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IXYS
IGBT 1200V 40A 278W TO-220
详细描述:IGBT 1200V 40A 278W Through Hole TO-220AB
型号:
IXYP20N120C3
仓库库存编号:
IXYP20N120C3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 57A 200W TO247AD
详细描述:IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG4PH50S-EPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50S-EPBF-ND
别名:IRG4PH50SEPBF
SP001545684
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 555W Through Hole TO-247
型号:
FGH40T120SMD_F155
仓库库存编号:
FGH40T120SMD_F155-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V,
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