产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 33W,
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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
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Power - Max
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测试条件
开关能量
Current - Collector Pulsed (Icm)
IGBT 类型
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
25°C 时 Td（开/关）值
栅极电荷
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
详细描述：IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA
型号：
HGTD3N60C3S9A
仓库库存编号：
HGTD3N60C3S9A-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 33W,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 11A 33W TO220FP
详细描述：IGBT 600V 11A 33W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF14N60D
仓库库存编号：
497-8897-5-ND
别名：497-8897-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 33W,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 33W TO220ABFP
详细描述：IGBT Trench 600V 11A 33W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号：
IRGI4045DPBF
仓库库存编号：
IRGI4045DPBF-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 33W,
无铅
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