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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 105A 595W SUPER247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 105A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS60B120KDP
  仓库库存编号：IRGPS60B120KDP-ND
  别名：*IRGPS60B120KDP
  SP001540752
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 80A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS40B120UPBF
  仓库库存编号：IRGPS40B120UPBF-ND
  别名：*IRGPS40B120UPBF
  SP001540742
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
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• ON Semiconductor
  650V/60A IGBT FSII
  详细描述：IGBT Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB60N65FL2WG
  仓库库存编号：NGTB60N65FL2WGOS-ND
  别名：NGTB60N65FL2WGOS
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 650V 134A 595W TO-247
  详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole TO-247
  
  型号：APT70GR65B
  仓库库存编号：APT70GR65B-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 80A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
  
  型号：IRGPS40B120UDP
  仓库库存编号：IRGPS40B120UDP-ND
  别名：*IRGPS40B120UDP
  SP001536518
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  IGBT 75A 600V TO-247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB75N60SWG
  仓库库存编号：NGTB75N60SWGOS-ND
  别名：NGTB75N60SWGOS
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB75N60FL2WG
  仓库库存编号：NGTB75N60FL2WG-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 75A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB75N65FL2WG
  仓库库存编号：NGTB75N65FL2WG-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
  
  型号：APT70GR65B2DU40
  仓库库存编号：APT70GR65B2DU40-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  详细描述：IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2]
  
  型号：APT70GR65B2SCD30
  仓库库存编号：APT70GR65B2SCD30-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：Power - Max 595W,
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