产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (4)
IXYS (2)
Microsemi Corporation (20)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号:
APT75GP120B2G
仓库库存编号:
APT75GP120B2G-ND
别名:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3600V 70A TO-247HV
详细描述:IGBT 3600V 70A 430W Through Hole TO-247HV
型号:
IXBH20N360HV
仓库库存编号:
IXBH20N360HV-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 833W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
型号:
APT65GP60B2G
仓库库存编号:
APT65GP60B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
型号:
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT45GP120B2DQ2G-ND
别名:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 245A 960W TMAX
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 245A 960W Through Hole
型号:
APT100GN120B2G
仓库库存编号:
APT100GN120B2G-ND
别名:APT100GN120B2GMI
APT100GN120B2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TMAX
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
型号:
APT100GN60B2G
仓库库存编号:
APT100GN60B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 543W Through Hole
型号:
APT40GP60B2DQ2G
仓库库存编号:
APT40GP60B2DQ2G-ND
别名:APT40GP60B2DQ2GMP
APT40GP60B2DQ2GMP-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
型号:
APT35GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT35GP120B2DQ2G-ND
别名:APT35GP120B2DQ2GMI
APT35GP120B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 64A 357W TMAX
详细描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole
型号:
APT33GF120B2RDQ2G
仓库库存编号:
APT33GF120B2RDQ2G-ND
别名:APT33GF120B2RDQ2GMI
APT33GF120B2RDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 134A 543W TO-247
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
型号:
APT50GN120B2G
仓库库存编号:
APT50GN120B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 117A 500W TO-247
详细描述:IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
型号:
APT64GA90B2D30
仓库库存编号:
APT64GA90B2D30-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 150A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
型号:
APT50GP60B2DQ2G
仓库库存编号:
APT50GP60B2DQ2G-ND
别名:APT50GP60B2DQ2GMI
APT50GP60B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W SOT227
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
型号:
APT150GN60B2G
仓库库存编号:
APT150GN60B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
详细描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole
型号:
APT25GN120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT25GN120B2DQ2G-ND
别名:APT25GN120B2DQ2GMI
APT25GN120B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 121A 520W TO-247
详细描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
型号:
APT68GA60B2D40
仓库库存编号:
APT68GA60B2D40-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole
型号:
APT75GN120B2G
仓库库存编号:
APT75GN120B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 148A 500W SOT247
详细描述:IGBT NPT 600V 148A 500W Through Hole
型号:
APT100GT60B2RG
仓库库存编号:
APT100GT60B2RG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 101A 543W TMAX
详细描述:IGBT PT 900V 101A 543W Through Hole
型号:
APT40GP90B2DQ2G
仓库库存编号:
APT40GP90B2DQ2G-ND
别名:APT40GP90B2DQ2GMI
APT40GP90B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 106A 694W TO-247
详细描述:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole
型号:
APT50GT120B2RDLG
仓库库存编号:
APT50GT120B2RDLG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 135A 781W TMAX
详细描述:IGBT NPT 1200V 135A 781W Through Hole
型号:
APT50GF120B2RG
仓库库存编号:
APT50GF120B2RG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 4500V 30A TO-247HV
详细描述:IGBT PT 4500V 60A 430W Through Hole TO-247HV
型号:
IXYH30N450HV
仓库库存编号:
IXYH30N450HV-ND
别名:Q9720435
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 183A 780W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole
型号:
APT102GA60B2
仓库库存编号:
APT102GA60B2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 254W TO247HC-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 30A 254W Through Hole PG-TO247HC-3
型号:
IHY15N120R3XKSA1
仓库库存编号:
IHY15N120R3XKSA1-ND
别名:IHY15N120R3
IHY15N120R3-ND
SP000678766
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A 310W TO247HC-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 40A 310W Through Hole PG-TO247HC-3
型号:
IHY20N120R3XKSA1
仓库库存编号:
IHY20N120R3XKSA1-ND
别名:IHY20N120R3
IHY20N120R3-ND
SP000678764
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1350V 40A 310W TO247HC-3
详细描述:IGBT Trench 1350V 40A 310W Through Hole PG-TO247HC-3
型号:
IHY20N135R3XKSA1
仓库库存编号:
IHY20N135R3XKSA1-ND
别名:IHY20N135R3
IHY20N135R3-ND
SP000752728
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:封装/外壳 TO-247-3 变式,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号