以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP30B120KD-EP
  仓库库存编号：IRGP30B120KD-EP-ND
  别名：*IRGP30B120KD-EP
  63-6005PBF
  63-6005PBF-ND
  SP001532874
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 600V，25A，5 欧姆，15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
  详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 245W Through Hole TO-3P
  
  型号：RJH1CV5DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJH1CV5DPK-00#T0-ND
  别名：RJH1CV5DPK00T0
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 600V，25A，5 欧姆，15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 69A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP120BDQ1G
  仓库库存编号：APT25GP120BDQ1G-ND
  别名：APT25GP120BDQ1GMI
  APT25GP120BDQ1GMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 600V，25A，5 欧姆，15V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 72A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP90BG
  仓库库存编号：APT25GP90BG-ND
  别名：APT25GP90BGMI
  APT25GP90BGMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 600V，25A，5 欧姆，15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 69A 417W TO247
  详细描述：IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT25GP120BG
  仓库库存编号：APT25GP120BG-ND
  别名：APT25GP120BGMI
  APT25GP120BGMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 600V，25A，5 欧姆，15V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 60A 300W TO247AC
  详细描述：IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP30B120KDPBF
  仓库库存编号：IRGP30B120KDPBF-ND
  别名：SP001546224
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 600V，25A，5 欧姆，15V,
• 无铅
• 搜索