产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 96A 543W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT35GP120BG
仓库库存编号:
APT35GP120BG-ND
别名:APT35GP120BGMI
APT35GP120BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-3P
型号:
RJH1CV7DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1CV7DPK-00#T0-ND
别名:RJH1CV7DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A DIE
详细描述:IGBT 1200V
型号:
IRG8CH37K10F
仓库库存编号:
IRG8CH37K10F-ND
别名:SP001532998
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 70A 320W TO247
详细描述:IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-247
型号:
RJH1CV7DPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH1CV7DPQ-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 90A 400W TO247AD
详细描述:IGBT 1200V 90A 400W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG7PH50K10D-EPBF
仓库库存编号:
IRG7PH50K10D-EPBF-ND
别名:SP001549418
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 90A 400W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 90A 400W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG7PH50K10DPBF
仓库库存编号:
IRG7PH50K10DPBF-ND
别名:SP001532774
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
详细描述:IGBT 1200V 80A 350W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG8P50N120KDPBF
仓库库存编号:
IRG8P50N120KDPBF-ND
别名:SP001549644
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
详细描述:IGBT 1200V 80A 350W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG8P50N120KD-EPBF
仓库库存编号:
IRG8P50N120KD-EPBF-ND
别名:SP001546104
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 600V,35A,5 欧姆,15V,
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