产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 400V，4A，50欧姆，15V,
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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
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输入类型
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Power - Max
Current - Collector (Ic) (Max)
测试条件
开关能量
Current - Collector Pulsed (Icm)
IGBT 类型
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
25°C 时 Td（开/关）值
栅极电荷
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(1)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(1)
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Rohm Semiconductor(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
IGBT 650V 8A 65W TO-263S
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 8A 65W Surface Mount LPDS (TO-263S)
型号：
RGT8NS65DGTL
仓库库存编号：
RGT8NS65DGTLCT-ND
别名：RGT8NS65DGTLCT
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 400V，4A，50欧姆，15V,
无铅
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Rohm Semiconductor
IGBT 650V 8A 62W TO-252
详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount TO-252
型号：
RGT8BM65DTL
仓库库存编号：
RGT8BM65DTLCT-ND
别名：RGT8BM65DTLCT
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：测试条件 400V，4A，50欧姆，15V,
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