产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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IXYS (6)
Microsemi Corporation (4)
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Renesas Electronics America (19)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BDQ1G
仓库库存编号:
APT30GP60BDQ1G-ND
别名:APT30GP60BDQ1GMP
APT30GP60BDQ1GMP-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH36N60B3C1
仓库库存编号:
IXGH36N60B3C1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260.4W
详细描述:IGBT 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
型号:
RJP60F5DPK-01#T0
仓库库存编号:
RJP60F5DPK-01#T0-ND
别名:RJP60F5DPK01T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 328.9W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F7ADPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F7ADPK-00#T0-ND
别名:RJH60F7ADPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 30W TO-220F
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 30W Through Hole TO-220F
型号:
FGPF4565
仓库库存编号:
FGPF4565-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 50A 40W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60F0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60F0DPM-00#T1-ND
别名:RJP60F0DPM00T1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F3DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F3DPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F3DPQA0T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F4DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F4DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F5DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F5DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F5DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F6BDPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F6BDPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F6BDPQA0T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 41.2W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60F4DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60F4DPM-00#T1-ND
别名:RJP60F4DPM00T1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F7BDPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F7BDPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F7BDPQA0T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F6DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F6DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F6DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 328.9W TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F7DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F7DPQ-A0#T0-ND
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IXYS
IGBT 600V 220W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH36N60A3D4
仓库库存编号:
IXGH36N60A3D4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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IXYS
IGBT 600V 220W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH36N60A3
仓库库存编号:
IXGH36N60A3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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IXYS
IGBT 600V 92A 250W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH36N60B3
仓库库存编号:
IXGH36N60B3-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F0DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F0DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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IXYS
IGBT 600V 250W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH36N60B3D4
仓库库存编号:
IXGH36N60B3D4-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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IXYS
IGBT 600V 250W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH36N60B3D1
仓库库存编号:
IXGH36N60B3D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO247A
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F6DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F6DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole T-MAX?
型号:
APT30GP60B2DLG
仓库库存编号:
APT30GP60B2DLG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-264
型号:
APT30GP60LDLG
仓库库存编号:
APT30GP60LDLG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BG
仓库库存编号:
APT30GP60BG-ND
别名:APT30GP60BGMP
APT30GP60BGMP-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260.4W TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F5DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F5DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:测试条件 400V,30A,5 欧姆,15V,
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