产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 107A 366W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GN60BDQ2G
仓库库存编号:
APT50GN60BDQ2G-ND
别名:APT50GN60BDQ2GMI
APT50GN60BDQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TO264
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT100GN60LDQ4G
仓库库存编号:
APT100GN60LDQ4G-ND
别名:APT100GN60LDQ4GMI
APT100GN60LDQ4GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 283A 682W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 283A 682W Through Hole
型号:
APT200GN60B2G
仓库库存编号:
APT200GN60B2G-ND
别名:APT200GN60B2GMI
APT200GN60B2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 229A 625W TMAX
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
型号:
APT100GN60B2G
仓库库存编号:
APT100GN60B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 155A 536W TO264
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT75GN60LDQ3G
仓库库存编号:
APT75GN60LDQ3G-ND
别名:APT75GN60LDQ3GMI
APT75GN60LDQ3GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 155A 536W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT75GN60BG
仓库库存编号:
APT75GN60BG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 220A 536W SOT227
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
型号:
APT150GN60B2G
仓库库存编号:
APT150GN60B2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 63A 203W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GN60BG
仓库库存编号:
APT30GN60BG-ND
别名:APT30GN60BGMI
APT30GN60BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 40A 136W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT20GN60BG
仓库库存编号:
APT20GN60BG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 63A 203W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GN60BDQ2G
仓库库存编号:
APT30GN60BDQ2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 40A 136W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT20GN60BDQ1G
仓库库存编号:
APT20GN60BDQ1G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 107A 366W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GN60BG
仓库库存编号:
APT50GN60BG-ND
别名:APT50GN60BGMI
APT50GN60BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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IGBT 600V 220A 536W TO-264L
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT150GN60LDQ4G
仓库库存编号:
APT150GN60LDQ4G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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