产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
筛选品牌
ON Semiconductor (12)
Renesas Electronics America (70)
Sanken (6)
STMicroelectronics (19)
Toshiba Semiconductor and Storage (5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
IGBT 400V ECH8
详细描述:IGBT 400V Surface Mount 8-ECH
型号:
TIG058E8-TL-H
仓库库存编号:
TIG058E8-TL-HOSCT-ND
别名:TIG058E8-TL-HOSCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 400V 150A ECH8
详细描述:IGBT 400V Surface Mount 8-ECH
型号:
TIG065E8-TL-H
仓库库存编号:
TIG065E8-TL-HOSCT-ND
别名:TIG065E8-TL-HOSCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 122W LDPAK
详细描述:IGBT 600V 45A 122W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJP60D0DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJP60D0DPE-00#J3CT-ND
别名:RJP60D0DPE-00#J3CT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 400V 150A 8SOIC
详细描述:IGBT 400V 1.2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
TIG067SS-TL-2W
仓库库存编号:
TIG067SS-TL-2WOSCT-ND
别名:TIG067SS-TL-2WOSCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260.4W
详细描述:IGBT 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
型号:
RJP60F5DPK-01#T0
仓库库存编号:
RJP60F5DPK-01#T0-ND
别名:RJP60F5DPK01T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 328.9W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F7ADPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F7ADPK-00#T0-ND
别名:RJH60F7ADPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 430V 240A 30W TO-220F-3FS
详细描述:IGBT 430V 30W Through Hole TO-220F-3FS
型号:
TIG056BF-1E
仓库库存编号:
TIG056BF-1EOS-ND
别名:TIG056BF-1E-ND
TIG056BF-1EOS
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 16A 52W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 16A 52W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60M1DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60M1DPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60M1DPE-00#J3CT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 60W DPAK
详细描述:IGBT 600V 6A 60W Surface Mount D-Pak
型号:
STGD3NB60FT4
仓库库存编号:
497-2450-1-ND
别名:497-2450-1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
含铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 6A 68W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 6A 68W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB3NB60FDT4
仓库库存编号:
497-2449-1-ND
别名:497-2449-1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
含铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 15A 55W DPAK
详细描述:IGBT 600V 15A 55W Surface Mount DPAK
型号:
STGD7NB60ST4
仓库库存编号:
497-12594-1-ND
别名:497-12594-1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 14A 70W DPAK
详细描述:IGBT 600V 14A 70W Surface Mount D-Pak
型号:
STGD7NB60KT4
仓库库存编号:
497-4110-1-ND
别名:497-4110-1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
含铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 20A 52W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 52W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60A83RDPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60A83RDPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60A83RDPE-00#J3CT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 16A 30W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 16A 30W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60M1DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60M1DPP-M0#T2-ND
别名:RJH60M1DPPM0T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
详细描述:IGBT 600V 45A 35W Through Hole TO-220FL
型号:
RJP60D0DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJP60D0DPP-M0#T2-ND
别名:RJP60D0DPPM0T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 25A 34W TO-220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 25A 34W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60V2BDPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60V2BDPP-M0#T2-ND
别名:RJH60V2BDPPM0T2
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 35A 30W TO220FL
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 40W Through Hole TO-220FL
型号:
RJH60D3DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJH60D3DPP-M0#T2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 20A 52W LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 20A 52W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60D1DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60D1DPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60D1DPE-00#J3CT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 35A LDPAK
详细描述:IGBT Trench 600V 35A 113W Surface Mount 4-LDPAK
型号:
RJH60D3DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60D3DPE-00#J3CT-ND
别名:RJH60D3DPE-00#J3CT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 45A 40W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60V0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60V0DPM-00#T1-ND
别名:RJP60V0DPM00T1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM
详细描述:IGBT Trench 600V 50A 40W Through Hole TO-3PFM
型号:
RJP60F0DPM-00#T1
仓库库存编号:
RJP60F0DPM-00#T1-ND
别名:RJP60F0DPM00T1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
详细描述:IGBT 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
型号:
RJP6085DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJP6085DPK-00#T0-ND
别名:RJP6085DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 40A 178.5W TO-247A
详细描述:IGBT Trench 600V 40A 178.5W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F3DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F3DPQ-A0#T0-ND
别名:RJH60F3DPQA0T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
详细描述:IGBT Trench 600V 60A 235.8W Through Hole TO-247A
型号:
RJH60F4DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH60F4DPQ-A0#T0-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F5DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F5DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F5DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:工作温度 150°C(TJ),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号