产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
详细描述:IGBT Trench 1350V 40A 310W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW20N135R3FKSA1
仓库库存编号:
IHW20N135R3FKSA1-ND
别名:IHW20N135R3
IHW20N135R3-ND
SP000909532
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1350V 80A 394W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号:
NGTB40N135IHRWG
仓库库存编号:
NGTB40N135IHRWGOS-ND
别名:NGTB40N135IHRWGOS
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO268
详细描述:IGBT 600V 48A 150W Surface Mount TO-268
型号:
IXST24N60BD1
仓库库存编号:
IXST24N60BD1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 200W TO247AD
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH30N60B
仓库库存编号:
IXGH30N60B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 60A 200W TO268
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT30N60B
仓库库存编号:
IXGT30N60B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 48A 150W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号:
IXSH24N60B
仓库库存编号:
IXSH24N60B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO247
详细描述:IGBT 600V 48A 150W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号:
IXSH24N60BD1
仓库库存编号:
IXSH24N60BD1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 150W TO220AB
详细描述:IGBT PT 600V 48A 150W Through Hole TO-220AB
型号:
IXSP24N60B
仓库库存编号:
IXSP24N60B-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1350V 40A 310W TO247HC-3
详细描述:IGBT Trench 1350V 40A 310W Through Hole PG-TO247HC-3
型号:
IHY20N135R3XKSA1
仓库库存编号:
IHY20N135R3XKSA1-ND
别名:IHY20N135R3
IHY20N135R3-ND
SP000752728
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 1.3mJ(关),
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