产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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零件状态
供应商器件封装
输入类型
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Power - Max
Current - Collector (Ic) (Max)
测试条件
开关能量
Current - Collector Pulsed (Icm)
IGBT 类型
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
25°C 时 Td(开/关)值
栅极电荷
TO-247-3(4)
TO-264-3,TO-264AA(1)
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA(2)
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管件 (7)
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TO-247-3(1)
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2.2V @ 15V,40A(2)
2V @ 15V,40A(4)
2.4V @ 15V,45A(1)
2.5V @ 15V,24A(2)
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30ns/130ns(2)
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ON Semiconductor
IGBT 600V 45A TO-247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB45N60SWG
仓库库存编号:
NGTB45N60SWG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 75A 400W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK50N60B2D1
仓库库存编号:
IXGK50N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 250W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 48A 250W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号:
IXSH30N60B2D1
仓库库存编号:
IXSH30N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 48A 250W TO268
详细描述:IGBT PT 600V 48A 250W Surface Mount TO-268
型号:
IXST30N60B2D1
仓库库存编号:
IXST30N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 400W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH50N60B2
仓库库存编号:
IXGH50N60B2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT 600V 68A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR50N60B2
仓库库存编号:
IXGR50N60B2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT 600V 68A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR50N60B2D1
仓库库存编号:
IXGR50N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO268
详细描述:IGBT PT 600V 75A 400W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT50N60B2
仓库库存编号:
IXGT50N60B2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 550μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 400W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX50N60B2D1
仓库库存编号:
IXGX50N60B2D1-ND
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