产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
IGBT 1700V 10A 140W TO247
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH10N170A
仓库库存编号:
IXGH10N170A-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO268
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-268
型号:
IXGT50N60C2
仓库库存编号:
IXGT50N60C2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 10A 140W TO268
详细描述:IGBT NPT Surface Mount TO-268
型号:
IXGT10N170A
仓库库存编号:
IXGT10N170A-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 480W TO264AA
详细描述:IGBT PT 600V 75A 480W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK50N60C2D1
仓库库存编号:
IXGK50N60C2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 35A 190W TO220
详细描述:IGBT PT 600V 35A 190W Through Hole TO-220AB
型号:
IXSP20N60B2D1
仓库库存编号:
IXSP20N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 35A 190W TO263
详细描述:IGBT PT 600V 35A 190W Surface Mount TO-263 AA (IXSA)
型号:
IXSA20N60B2D1
仓库库存编号:
IXSA20N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
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IXYS
IGBT 600V 35A 190W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 35A 190W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号:
IXSH20N60B2D1
仓库库存编号:
IXSH20N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 35A 190W TO3P
详细描述:IGBT PT 600V 35A 190W Through Hole TO-3P
型号:
IXSQ20N60B2D1
仓库库存编号:
IXSQ20N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 400W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH50N60C2
仓库库存编号:
IXGH50N60C2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR50N60C2
仓库库存编号:
IXGR50N60C2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:开关能量 380μJ(关),
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR50N60C2D1
仓库库存编号:
IXGR50N60C2D1-ND
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无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 480W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 75A 480W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX50N60C2D1
仓库库存编号:
IXGX50N60C2D1-ND
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