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• IXYS
  IGBT 600V 170A 695W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
  
  型号：IXXK100N60C3H1
  仓库库存编号：IXXK100N60C3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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• IXYS
  IGBT 600V 190A 830W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 190A 830W Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH100N60C3
  仓库库存编号：IXXH100N60C3-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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  IGBT 600V 170A 695W PLUS247
  详细描述：IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole PLUS247?-3
  
  型号：IXXX100N60C3H1
  仓库库存编号：IXXX100N60C3H1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 198A 833W TO264
  详细描述：IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
  
  型号：APT65GP60L2DQ2G
  仓库库存编号：APT65GP60L2DQ2G-ND
  别名：APT65GP60L2DQ2GMI
  APT65GP60L2DQ2GMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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  IGBT 600V 55A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH30N60CD1
  仓库库存编号：IXSH30N60CD1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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  IGBT 600V 55A 200W TO264
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-264AA(IXSK)
  
  型号：IXSK30N60CD1
  仓库库存编号：IXSK30N60CD1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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  IGBT 600V 55A 200W TO268
  详细描述：IGBT PT 600V 55A 200W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXST30N60C
  仓库库存编号：IXST30N60C-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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• IXYS
  IGBT 600V 55A 200W TO268
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXST30N60CD1
  仓库库存编号：IXST30N60CD1-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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  IGBT 600V 55A 200W TO247AD
  详细描述：IGBT PT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AD (IXSH)
  
  型号：IXSH30N60C
  仓库库存编号：IXSH30N60C-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 30ns/90ns,
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