产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 20ns/350ns,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
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工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
输入类型
反向恢复时间(trr)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Power - Max
Current - Collector (Ic) (Max)
测试条件
开关能量
Current - Collector Pulsed (Icm)
IGBT 类型
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
25°C 时 Td(开/关)值
栅极电荷
TO-247-3(2)
TO-264-3,TO-264AA(1)
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA(2)
ISOPLUS247?(1)
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IXYS(6)
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表面贴装(2)
通孔(4)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(5)
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TO-247AD(IXGH)(2)
TO-264(IXGK)(1)
ISOPLUS247?(1)
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200ns(4)
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900V(6)
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40A(1)
75A(5)
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720V,50A,5 欧姆,15V(5)
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4.7mJ(关)(6)
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200A(5)
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NPT(1)
PT(5)
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2.9V @ 15V,50A(1)
2.7V @ 15V,50A(5)
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20ns/350ns(6)
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135nC(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO247AD
详细描述:IGBT PT 900V 75A 400W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH50N90B2D1
仓库库存编号:
IXGH50N90B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 20ns/350ns,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH50N90B2
仓库库存编号:
IXGH50N90B2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 20ns/350ns,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO268
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-268
型号:
IXGT50N90B2
仓库库存编号:
IXGT50N90B2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 20ns/350ns,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO264
详细描述:IGBT PT 900V 75A 400W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK50N90B2D1
仓库库存编号:
IXGK50N90B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 20ns/350ns,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO268
详细描述:IGBT PT 900V 75A 400W Surface Mount TO-268
型号:
IXGT50N90B2D1
仓库库存编号:
IXGT50N90B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 20ns/350ns,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 40A 100W ISOPLUS247
详细描述:IGBT NPT 900V 40A 100W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR50N90B2D1
仓库库存编号:
IXGR50N90B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 20ns/350ns,
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