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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30FD-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC30FD-SPBF-ND
  别名：*IRG4BC30FD-SPBF
  IRG4BC30FDSPBF
  SP001549322
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30FDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC30FDPBF-ND
  别名：*IRG4BC30FDPBF
  SP001545780
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30FDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC30FDPBF-ND
  别名：*IRG4PC30FDPBF
  SP001541864
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30FDSTRRP
  仓库库存编号：IRG4BC30FDSTRRP-ND
  别名：SP001541970
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 20.3A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRG4IBC30FD
  仓库库存编号：IRG4IBC30FD-ND
  别名：*IRG4IBC30FD
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30FD-S
  仓库库存编号：IRG4BC30FD-S-ND
  别名：*IRG4BC30FD-S
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 100W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 31A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BC30FD-STRR
  仓库库存编号：IRG4BC30FD-STRR-ND
  别名：IRG4BC30FDSTRR
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 20.3A 45W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRG4IBC30FDPBF
  仓库库存编号：IRG4IBC30FDPBF-ND
  别名：*IRG4IBC30FDPBF
  SP001545734
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：25°C 时 Td（开/关）值 42ns/230ns,
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