产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 833W TMAX
详细描述：IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
型号：
APT65GP60B2G
仓库库存编号：
APT65GP60B2G-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 100A SGL TO-247-4
详细描述：IGBT Trench 650V 161A 536W Through Hole PG-TO247-4
型号：
IGZ100N65H5XKSA1
仓库库存编号：
IGZ100N65H5XKSA1-ND
别名：IGZ100N65H5
SP001160058
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 70A 368W TO264
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264-3
型号：
FGL35N120FTDTU
仓库库存编号：
FGL35N120FTDTU-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 140A 455W TO247AC
详细描述：IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4266DPBF
仓库库存编号：
IRGP4266DPBF-ND
别名：SP001542370
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB40H65FB
仓库库存编号：
497-16977-1-ND
别名：497-16977-1
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT40H60DLFB
仓库库存编号：
497-14228-5-ND
别名：497-14228-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT40H65FB
仓库库存编号：
497-14230-5-ND
别名：497-14230-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT40H65DFB
仓库库存编号：
497-14229-5-ND
别名：497-14229-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 283W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247
型号：
STGW40H65FB
仓库库存编号：
497-14036-5-ND
别名：497-14036-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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IXYS
IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK
详细描述：IGBT 3600V 70A 290W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXBF50N360
仓库库存编号：
IXBF50N360-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
型号：
APT40GR120B2D30
仓库库存编号：
APT40GR120B2D30-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT40HP65FB
仓库库存编号：
497-16972-ND
别名：497-16972
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF-3
型号：
STGFW40H65FB
仓库库存编号：
497-15540-5-ND
别名：497-15540-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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IXYS
IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS
详细描述：IGBT 3600V 125A 660W Through Hole TO-247-3
型号：
IXBX50N360HV
仓库库存编号：
IXBX50N360HV-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 80A 283W TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247
型号：
STGW40H65DFB
仓库库存编号：
497-14365-ND
别名：497-14365
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247-3
型号：
APT40GR120B
仓库库存编号：
APT40GR120B-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W D3PAK
详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Surface Mount D3Pak
型号：
APT40GR120S
仓库库存编号：
APT40GR120S-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 88A 500W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 88A 500W Through Hole TO-247
型号：
APT40GR120B2SCD10
仓库库存编号：
APT40GR120B2SCD10-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
详细描述：IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3PN
型号：
GPA015A120MN-ND
仓库库存编号：
1560-1215-5-ND
别名：1560-1215-1
1560-1215-1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
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Global Power Technologies Group
IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号：
GPA020A120MN-FD
仓库库存编号：
1560-1216-5-ND
别名：1560-1216-1
1560-1216-1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 80A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 Long Leads
型号：
STGWA40H65DFB
仓库库存编号：
STGWA40H65DFB-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
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STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 283W TO-247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
STGW40H60DLFB
仓库库存编号：
497-14364-ND
别名：497-14364
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 198A 833W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
型号：
APT65GP60L2DQ2G
仓库库存编号：
APT65GP60L2DQ2G-ND
别名：APT65GP60L2DQ2GMI
APT65GP60L2DQ2GMI-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A DIE
详细描述：IGBT 1200V
型号：
IRG8CH37K10F
仓库库存编号：
IRG8CH37K10F-ND
别名：SP001532998
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO-247
详细描述：IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP4790D-EPBF
仓库库存编号：
IRGP4790D-EPBF-ND
别名：SP001542360
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 210nC,
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