产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BH20K-SPBF
仓库库存编号：
IRG4BH20K-SPBF-ND
别名：*IRG4BH20K-SPBF
IRG4BH20KSPBF
SP001536124
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH20KDPBF
仓库库存编号：
IRG4PH20KDPBF-ND
别名：*IRG4PH20KDPBF
92-0151PBF
92-0151PBF-ND
SP001547870
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247
型号：
STGW10M65DF2
仓库库存编号：
497-16969-ND
别名：497-16969
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 440V 20A 125W D2PAK
详细描述：IGBT 440V 20A 125W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB10NB37LZT4
仓库库存编号：
497-4106-1-ND
别名：497-4106-1
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO262
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-262
型号：
IRG4BH20K-LPBF
仓库库存编号：
IRG4BH20K-LPBF-ND
别名：*IRG4BH20K-LPBF
IRG4BH20KLPBF
SP001537254
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 10A TO-220AB
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-220
型号：
STGP10M65DF2
仓库库存编号：
497-15840-5-ND
别名：497-15840-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH20KPBF
仓库库存编号：
IRG4PH20KPBF-ND
别名：*IRG4PH20KPBF
SP001540532
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 440V 20A 150W D2PAK
详细描述：IGBT 440V 20A 150W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB10NB40LZT4
仓库库存编号：
497-4349-1-ND
别名：497-4349-1
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 10A D2PAK
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB10M65DF2
仓库库存编号：
497-15844-1-ND
别名：497-15844-1
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 20A 30W Through Hole TO-220FP
型号：
STGF10M65DF2
仓库库存编号：
STGF10M65DF2-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 96A 416W TO247
详细描述：IGBT PT 600V 96A 416W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT54GA60BD30
仓库库存编号：
APT54GA60BD30-ND
别名：APT54GA60BD30MI
APT54GA60BD30MI-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BH20K-STRLP
仓库库存编号：
IRG4BH20K-STRLP-ND
别名：SP001540346
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 440V 20A 125W TO220
详细描述：IGBT 440V 20A 125W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP10NB37LZ
仓库库存编号：
497-6732-5-ND
别名：497-6732-5
STGP10NB37LZ-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 440V 20A 125W D2PAK
详细描述：IGBT 440V 20A 125W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB10NB37LZ
仓库库存编号：
497-12592-5-ND
别名：497-12592-5
STGB10NB37LZ-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO262
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-262
型号：
IRG4BH20K-L
仓库库存编号：
IRG4BH20K-L-ND
别名：*IRG4BH20K-L
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
型号：
IRG4BH20K-S
仓库库存编号：
IRG4BH20K-S-ND
别名：*IRG4BH20K-S
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH20KD
仓库库存编号：
IRG4PH20KD-ND
别名：*IRG4PH20KD
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PH20K
仓库库存编号：
IRG4PH20K-ND
别名：*IRG4PH20K
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 28nC,
含铅
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