产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 166nC,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 650V 75A CO-PACK TO-247-4
详细描述:IGBT Trench 650V 90A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKZ75N65NH5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ75N65NH5XKSA1-ND
别名:IKZ75N65NH5
SP001160050
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 166nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
详细描述:IGBT 650V 90A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKZ75N65EH5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ75N65EH5XKSA1-5-ND
别名:IKZ75N65EH5XKSA1-5
SP001160046
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 166nC,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 70A 320W TO-3P
详细描述:IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-3P
型号:
RJH1CV7DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH1CV7DPK-00#T0-ND
别名:RJH1CV7DPK00T0
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 166nC,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 30A TO247
详细描述:IGBT Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB30N60L2WG
仓库库存编号:
NGTB30N60L2WG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 166nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 75A SGL TO-247-4
详细描述:IGBT Trench 650V 119A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IGZ75N65H5XKSA1
仓库库存编号:
IGZ75N65H5XKSA1-ND
别名:IGZ75N65H5
SP001160054
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 166nC,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 1200V 70A 320W TO247
详细描述:IGBT Trench 1200V 70A 320W Through Hole TO-247
型号:
RJH1CV7DPQ-E0#T2
仓库库存编号:
RJH1CV7DPQ-E0#T2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 166nC,
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