产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (9)
IXYS (11)
ON Semiconductor (2)
Renesas Electronics America (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
IGBT 600V 53A 200W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 53A 200W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW30N60TPXKSA1
仓库库存编号：
IGW30N60TPXKSA1-ND
别名：SP001379674
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 53A 200W TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 53A 200W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IKW30N60DTPXKSA1
仓库库存编号：
IKW30N60DTPXKSA1-ND
别名：SP001379684
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1600V 33A 350W TO247AD
详细描述：IGBT 1600V 33A 350W Through Hole TO-247AD (IXBH)
型号：
IXBH40N160
仓库库存编号：
IXBH40N160-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-247
详细描述：IGBT Trench 600V 90A 300W Through Hole TO-247
型号：
RJH60D7DPQ-E0#T2
仓库库存编号：
RJH60D7DPQ-E0#T2-ND
别名：RJH60D7DPQE0T2
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 600V 30A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
型号：
NGTB30N60IHLWG
仓库库存编号：
NGTB30N60IHLWG-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO3P
详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号：
RJH60D7DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH60D7DPK-00#T0-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-3P
详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号：
RJH60D7ADPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH60D7ADPK-00#T0-ND
别名：RJH60D7ADPK00T0
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH25N120A
仓库库存编号：
IXGH25N120A-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 1200V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH25N120
仓库库存编号：
IXGH25N120-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1600V 28A 250W I4PAC
详细描述：IGBT 1600V 28A 250W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXBF40N160
仓库库存编号：
IXBF40N160-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 30A 198W Surface Mount PG-TO263-3
型号：
SGB15N120ATMA1
仓库库存编号：
SGB15N120ATMA1TR-ND
别名：SGB15N120
SGB15N120-ND
SP000012560
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO220-3
型号：
SGP15N120XKSA1
仓库库存编号：
SGP15N120XKSA1-ND
别名：SGP15N120
SGP15N120-ND
SP000683122
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 1000V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH25N100A
仓库库存编号：
IXGH25N100A-ND
别名：Q1112006
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO247AD
详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH60N60
仓库库存编号：
IXGH60N60-ND
别名：Q2124563A
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK60N60
仓库库存编号：
IXGK60N60-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO268
详细描述：IGBT PT 600V 75A 300W Surface Mount TO-268
型号：
IXGT60N60
仓库库存编号：
IXGT60N60-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 1000V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH25N100
仓库库存编号：
IXGH25N100-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 1000V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH25N100AU1
仓库库存编号：
IXGH25N100AU1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
详细描述：IGBT 1000V 50A 200W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH25N100U1
仓库库存编号：
IXGH25N100U1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 55W TO3PFM
详细描述：IGBT Trench 600V 90A 55W Through Hole TO-3PFM
型号：
RJH60D7DPM-00#T1
仓库库存编号：
RJH60D7DPM-00#T1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 600V 40A TO247
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 80A 250W Through Hole TO-247
型号：
NGTB40N60IHLWG
仓库库存编号：
NGTB40N60IHLWGOS-ND
别名：NGTB40N60IHLWG-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO247-3
型号：
SGW15N120FKSA1
仓库库存编号：
SGW15N120FKSA1-ND
别名：SGW15N120
SGW15N120-ND
SP000012564
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO247-3
详细描述：IGBT NPT 1200V 30A 198W Through Hole PG-TO247-3
型号：
SKW15N120FKSA1
仓库库存编号：
SKW15N120FKSA1-ND
别名：SKW15N120
SKW15N120-ND
SP000012570
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 179W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH35UD1MPBF
仓库库存编号：
IRG7PH35UD1MPBF-ND
别名：SP001537510
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 1200V 50A 179W TO247
详细描述：IGBT Trench 1200V 50A 179W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH35UD1-EP
仓库库存编号：
IRG7PH35UD1-EP-ND
别名：SP001541578
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 130nC,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
