产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 187W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 187W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW30N60H3FKSA1
仓库库存编号:
IKW30N60H3FKSA1-ND
别名:IKW30N60H3
IKW30N60H3-ND
SP000703042
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 187W TO220-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 187W Through Hole PG-TO220-3
型号:
IGP30N60H3XKSA1
仓库库存编号:
IGP30N60H3XKSA1-ND
别名:IGP30N60H3
IGP30N60H3-ND
SP000702546
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 187W TO263-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 187W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
IGB30N60H3ATMA1
仓库库存编号:
IGB30N60H3ATMA1CT-ND
别名:IGB30N60H3ATMA1CT
IGB30N60H3CT
IGB30N60H3CT-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 54A 390W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247
型号:
HGTG18N120BND
仓库库存编号:
HGTG18N120BND-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 150A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
型号:
APT50GP60B2DQ2G
仓库库存编号:
APT50GP60B2DQ2G-ND
别名:APT50GP60B2DQ2GMI
APT50GP60B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 63A 203W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GN60BG
仓库库存编号:
APT30GN60BG-ND
别名:APT30GN60BGMI
APT30GN60BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 63A 203W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GN60BDQ2G
仓库库存编号:
APT30GN60BDQ2G-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 54A 390W TO247
详细描述:IGBT NPT Through Hole TO-247
型号:
HGTG18N120BN
仓库库存编号:
HGTG18N120BN-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GP60BG
仓库库存编号:
APT50GP60BG-ND
别名:APT50GP60BGMI
APT50GP60BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 254W TO247-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 30A 254W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IHW15N120R3
仓库库存编号:
IHW15N120R3-ND
别名:IHW15N120R3FKSA1
SP000521590
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 187W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 187W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW30N60H3FKSA1
仓库库存编号:
IGW30N60H3FKSA1-ND
别名:IGW30N60H3
IGW30N60H3-ND
SP000852242
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
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IXYS
IGBT 1000V 75A 300W TO247
详细描述:IGBT 1000V 75A 300W Through Hole TO-247AD (IXSH)
型号:
IXSH45N100
仓库库存编号:
IXSH45N100-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 254W TO247HC-3
详细描述:IGBT Trench 1200V 30A 254W Through Hole PG-TO247HC-3
型号:
IHY15N120R3XKSA1
仓库库存编号:
IHY15N120R3XKSA1-ND
别名:IHY15N120R3
IHY15N120R3-ND
SP000678766
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 18A 43W TO220-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 18A 43W Through Hole PG-TO220-3-31 Full Pack
型号:
IGA30N60H3XKSA1
仓库库存编号:
IGA30N60H3XKSA1-ND
别名:IGA30N60H3
IGA30N60H3-ND
SP000853272
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 165nC,
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