产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Through Hole PG-TO220-3
型号:
SGP02N120XKSA1
仓库库存编号:
SGP02N120XKSA1-ND
别名:SGP02N120
SGP02N120-ND
SP000683106
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
SGD02N120
仓库库存编号:
SGD02N120BUMA1CT-ND
别名:SGD02N120CT
SGD02N120CT-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3
型号:
SGB02N120
仓库库存编号:
SGB02N120ATMA1CT-ND
别名:SGB02N120CT
SGB02N120CT-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
SKB02N120ATMA1
仓库库存编号:
SKB02N120ATMA1TR-ND
别名:SKB02N120
SKB02N120-ND
SP000012567
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Through Hole PG-TO220-3
型号:
SKP02N120XKSA1
仓库库存编号:
SKP02N120XKSA1-ND
别名:SKP02N120
SKP02N120-ND
SP000683134
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 400V 7A 29W DPAK
详细描述:IGBT 400V 7A 29W Surface Mount D-Pak
型号:
FGD2N40L
仓库库存编号:
FGD2N40LCT-ND
别名:FGD2N40LCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 5A
详细描述:IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
型号:
RJH60A01RDPD-A0#J2
仓库库存编号:
RJH60A01RDPD-A0#J2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 5A
详细描述:IGBT Trench 600V 10A 29.4W Surface Mount TO-252
型号:
RJH60A81RDPD-A0#J2
仓库库存编号:
RJH60A81RDPD-A0#J2-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 6.2A 62W TO262-3
详细描述:IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Through Hole PG-TO262-3
型号:
SGI02N120XKSA1
仓库库存编号:
SGI02N120XKSA1-ND
别名:SGI02N120
SGI02N120-ND
SP000683104
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 11nC,
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