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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 120A 378W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：FGH60N60SFDTU
  仓库库存编号：FGH60N60SFDTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 198nC,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 120A 378W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：FGH60N60SFTU
  仓库库存编号：FGH60N60SFTU-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 198nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 121A 520W TO-264
  详细描述：IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L]
  
  型号：APT68GA60LD40
  仓库库存编号：APT68GA60LD40-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 198nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 121A 520W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole
  
  型号：APT68GA60B2D40
  仓库库存编号：APT68GA60B2D40-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 198nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 60A 390W TO247-3
  详细描述：IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 60A 390W Through Hole PG-TO247-3
  
  型号：IHW30N120R2
  仓库库存编号：IHW30N120R2-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 198nC,
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