产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
IGBT 1200V 5A 25W TO252AA
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-252AA
型号:
IXGY2N120
仓库库存编号:
IXGY2N120-ND
别名:Q2317638
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 58W DPAK
详细描述:IGBT 600V 11A 58W Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
型号:
IRGR4607DTRPBF
仓库库存编号:
IRGR4607DTRPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
详细描述:IGBT 600V 2.4A 2.1W Surface Mount SOT-223-4
型号:
SGM2N60UFTF
仓库库存编号:
SGM2N60UFTF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
详细描述:IGBT 600V 2.4A 25W Surface Mount D-Pak
型号:
SGR2N60UFDTF
仓库库存编号:
SGR2N60UFDTF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
详细描述:IGBT 600V 2.4A 25W Surface Mount D-Pak
型号:
SGR2N60UFDTM
仓库库存编号:
SGR2N60UFDTM-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 56W TO220AB
详细描述:IGBT Trench 600V 8A 56W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB4059DPBF
仓库库存编号:
IRGB4059DPBF-ND
别名:SP001542260
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 58W TO220
详细描述:IGBT 600V 11A 58W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGB4607DPBF
仓库库存编号:
IRGB4607DPBF-ND
别名:SP001541648
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 11A 58W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS4607DPBF
仓库库存编号:
IRGS4607DPBF-ND
别名:SP001535930
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 11A 58W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS4607DTRLPBF
仓库库存编号:
IRGS4607DTRLPBF-ND
别名:SP001548314
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11A 58W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 11A 58W Surface Mount D2PAK
型号:
IRGS4607DTRRPBF
仓库库存编号:
IRGS4607DTRRPBF-ND
别名:SP001545246
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 9nC,
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