产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (8)
IXYS (10)
Microsemi Corporation (3)
Fairchild/ON Semiconductor (4)
ON Semiconductor (4)
STMicroelectronics (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
详细描述：IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
型号：
FGA25N120ANTDTU
仓库库存编号：
FGA25N120ANTDTU-ND
别名：FGA25N120ANTDTU_NL
FGA25N120ANTDTU_NL-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 145A 625W TO247
详细描述：IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT80GA90B
仓库库存编号：
APT80GA90B-ND
别名：APT80GA90BMI
APT80GA90BMI-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 80A 345W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 80A 345W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT40GT60BRG
仓库库存编号：
APT40GT60BRG-ND
别名：APT40GT60BRGMI
APT40GT60BRGMI-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 110A 284W TO247
详细描述：IGBT 600V 110A 284W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW50HF60S
仓库库存编号：
497-11086-5-ND
别名：497-11086-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 110A 284W TO247
详细描述：IGBT 600V 110A 284W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW50HF60SD
仓库库存编号：
497-11089-5-ND
别名：497-11089-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC50KDPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50KDPBF-ND
别名：*IRG4PC50KDPBF
SP001540572
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
详细描述：IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
型号：
FGA25N120ANTDTU_F109
仓库库存编号：
FGA25N120ANTDTU_F109-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 192W Through Hole TO-247
型号：
NGTB20N120LWG
仓库库存编号：
NGTB20N120LWGOS-ND
别名：NGTB20N120LWG-ND
NGTB20N120LWGOS
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
详细描述：IGBT 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
型号：
NGTB25N120IHLWG
仓库库存编号：
NGTB25N120IHLWGOS-ND
别名：NGTB25N120IHLWGOS
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V TO247
详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD
型号：
IXXH150N60C3
仓库库存编号：
IXXH150N60C3-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO264AA
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK50N60BU1
仓库库存编号：
IXGK50N60BU1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 145A 625W TO-264
详细描述：IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-264
型号：
APT80GA90LD40
仓库库存编号：
APT80GA90LD40-ND
别名：Q4945437
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3000V 42A 357W TO268
详细描述：IGBT 3000V 104A 500W Surface Mount TO-268
型号：
IXBT42N300HV
仓库库存编号：
IXBT42N300HV-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 3000V TO247
详细描述：IGBT 3000V 60A 240W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXBF42N300
仓库库存编号：
IXBF42N300-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 52A 200W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC50KPBF
仓库库存编号：
IRG4PC50KPBF-ND
别名：*IRG4PC50KPBF
SP001545724
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 250W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH50N60A
仓库库存编号：
IXGH50N60A-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO247
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-247AD
型号：
IXGX50N60AU1
仓库库存编号：
IXGX50N60AU1-ND
别名：Q1168121
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A 310W TO3P
详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P
型号：
FGA25N120ANDTU
仓库库存编号：
FGA25N120ANDTU-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A 310W TO3P
详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P
型号：
FGA25N120ANTU
仓库库存编号：
FGA25N120ANTU-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 250W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH40N60
仓库库存编号：
IXGH40N60-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 250W TO247AD
详细描述：IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号：
IXGH40N60A
仓库库存编号：
IXGH40N60A-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 300W TO264AA
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK50N60AU1
仓库库存编号：
IXGK50N60AU1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 75A 300W ISOPLUS247
详细描述：IGBT 600V 75A 300W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXGR60N60U1
仓库库存编号：
IXGR60N60U1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3
详细描述：IGBT 1200V 40A 192W Through Hole TO-247
型号：
NGTB20N120IHLWG
仓库库存编号：
NGTB20N120IHLWGOS-ND
别名：NGTB20N120IHLWGOS
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
ON Semiconductor
IGBT 1200V 50A 192W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
型号：
NGTB25N120LWG
仓库库存编号：
NGTB25N120LWGOS-ND
别名：NGTB25N120LWG-ND
NGTB25N120LWGOS
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 200nC,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
