产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IGW40N120H3
仓库库存编号:
IGW40N120H3-ND
别名:IGW40N120H3FKSA1
SP000667510
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 483W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 483W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW40N120H3
仓库库存编号:
IKW40N120H3-ND
别名:IKW40N120H3FKSA1
SP000674416
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
型号:
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT45GP120B2DQ2G-ND
别名:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT45GP120BG
仓库库存编号:
APT45GP120BG-ND
别名:APT45GP120BGMI
APT45GP120BGMI-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 70A 200W Through Hole ISOPLUS247?
型号:
IXGR55N120A3H1
仓库库存编号:
IXGR55N120A3H1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 125A 460W PLUS247
详细描述:IGBT PT 1200V 125A 460W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX55N120A3H1
仓库库存编号:
IXGX55N120A3H1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 125A 460W TO264
详细描述:IGBT PT 1200V 125A 460W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK55N120A3H1
仓库库存编号:
IXGK55N120A3H1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 300V 180A 480W TO3P
详细描述:IGBT 300V 180A 480W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA180N30DTU
仓库库存编号:
FGA180N30DTU-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:栅极电荷 185nC,
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