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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 120A 349W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 349W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：FGH60T65SHD_F155
  仓库库存编号：FGH60T65SHD_F155-ND
  别名：FGH60T65SHDF155
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 78A 370W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB30B60KPBF
  仓库库存编号：IRGB30B60KPBF-ND
  别名：*IRGB30B60KPBF
  SP001546084
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W TO247
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW30NC60WD
  仓库库存编号：497-5204-5-ND
  别名：497-5204-5
  STGW30NC60WD-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 78A 370W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS30B60KTRRP
  仓库库存编号：IRGS30B60KTRRPCT-ND
  别名：IRGS30B60KTRRPCT
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 650V 50A TO247
  详细描述：IGBT 650V 100A 500W Through Hole TO-247
  
  型号：AOK50B65M2
  仓库库存编号：785-1756-ND
  别名：785-1756
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30NC60WT4
  仓库库存编号：497-8779-1-ND
  别名：497-8779-1
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W TO220
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW30NC60W
  仓库库存编号：497-5009-5-ND
  别名：497-5009-5
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 60A 304W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 600V 60A 304W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP30B60KD-EP
  仓库库存编号：IRGP30B60KD-EP-ND
  别名：*IRGP30B60KD-EP
  IRGP30B60KDEP
  SP001549784
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 65A 290W TO-247
  详细描述：IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT36GA60B
  仓库库存编号：APT36GA60B-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 78A 370W TO262
  详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-262
  
  型号：IRGSL30B60KPBF
  仓库库存编号：IRGSL30B60KPBF-ND
  别名：SP001541980
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 78A 370W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Surface Mount D2PAK
  
  型号：AUIRGS30B60KTRL
  仓库库存编号：AUIRGS30B60KTRL-ND
  别名：SP001511192
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 78A 370W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Surface Mount D2PAK
  
  型号：AUIRGS30B60K
  仓库库存编号：AUIRGS30B60K-ND
  别名：SP001512468
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 78A 370W TO262
  详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-262
  
  型号：AUIRGSL30B60K
  仓库库存编号：AUIRGSL30B60K-ND
  别名：SP001511884
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W TO220
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-220AB
  
  型号：STGP30NC60W
  仓库库存编号：497-6734-5-ND
  别名：497-6734-5
  STGP30NC60W-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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  IGBT 600V 70A 260W TO247
  详细描述：IGBT 600V 70A 260W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW35NC60WD
  仓库库存编号：497-7488-5-ND
  别名：497-7488-5
  STGW35NC60WD-ND
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 78A 370W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT 600V 78A 370W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB30B60K
  仓库库存编号：IRGB30B60K-ND
  别名：*IRGB30B60K
  
  产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：栅极电荷 102nC,
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