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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 70ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4015MA-70
  仓库库存编号：296-9399-5-ND
  别名：296-9399-5
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 8MBIT 70NS 36DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 70ns 36-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4016MC-70
  仓库库存编号：296-9402-5-ND
  别名：296-9402-5
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 2MBIT 85NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4014MB-85
  仓库库存编号：296-9397-5-ND
  别名：296-9397-5
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 85ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010MA-85
  仓库库存编号：296-9389-5-ND
  别名：296-9389-5
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 100ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011MA-100
  仓库库存编号：296-9391-5-ND
  别名：296-9391-5
  BQ4011MA100
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• STMicroelectronics
  IC NVSRAM 1MBIT 70NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 70ns 32-PMDIP 模块
  
  型号：M48Z128-70PM1
  仓库库存编号：497-2873-5-ND
  别名：497-2873-5
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• STMicroelectronics
  IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 70ns 32-PMDIP 模块
  
  型号：M48Z512A-70PM1
  仓库库存编号：497-2886-5-ND
  别名：497-2886-5
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010MA-150
  仓库库存编号：296-32840-5-ND
  别名：296-32840-5
  BQ4010MA-150-ND
  BQ4010MA150
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010MA-200
  仓库库存编号：BQ4010MA-200-ND
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 64KBIT 70NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 70ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4010MA-70
  仓库库存编号：296-32841-5-ND
  别名：296-32841-5
  BQ4010MA-70-ND
  BQ4010MA70
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011MA-150
  仓库库存编号：BQ4011MA-150-ND
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 200ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）
  
  型号：BQ4011MA-200
  仓库库存编号：BQ4011MA-200-ND
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013MA-120
  仓库库存编号：BQ4013MA-120-ND
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4013MA-85
  仓库库存编号：BQ4013MA-85-ND
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 2Mb （256K x 8） 并联 120ns 32-DIP 模块（18.42x52.96）
  
  型号：BQ4014MB-120
  仓库库存编号：BQ4014MB-120-ND
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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• Texas Instruments
  IC NVSRAM 4MBIT 85NS 32DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 85ns 32-DIP 模块（18.42x42.8）
  
  型号：BQ4015MA-85
  仓库库存编号：BQ4015MA-85-ND
  
  产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 4.75 V ~ 5.5 V,
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