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• Fujitsu Electronics America, Inc.
  IC FRAM 1MBIT 150NS 48TSOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 150ns 48-TSOP
  
  型号：MB85R1001ANC-GE1
  仓库库存编号：865-1168-ND
  别名：865-1168
  MB85R1001ANCGE1
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Fujitsu Electronics America, Inc.
  IC FRAM 4MBIT 150NS 44TSOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 150ns 44-TSOP
  
  型号：MB85R4M2TFN-G-ASE1
  仓库库存编号：865-1266-ND
  别名：865-1266
  865-1266-1
  865-1266-1-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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  无铅
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1225AD-150+
  仓库库存编号：DS1225AD-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1225AD-150IND+
  仓库库存编号：DS1225AD-150IND+-ND
  别名：DS1225AD150IND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1225Y-150+
  仓库库存编号：DS1225Y-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1230Y-150+
  仓库库存编号：DS1230Y-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 1MBIT 150NS 32EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 150ns 32-EDIP
  
  型号：DS1245W-150+
  仓库库存编号：DS1245W-150+-ND
  别名：DS1245W150
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Rohm Semiconductor
  IC FRAM 256KBIT 70NS 28TSOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 70ns 28-TSOP I
  
  型号：MR48V256ATAZBARL
  仓库库存编号：MR48V256ATAZBAX-ND
  别名：MR48V256ATAZBAAL
  MR48V256ATAZBAAL-ND
  MR48V256ATAZBARL-ND
  MR48V256ATAZBAX
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1225AB-150+
  仓库库存编号：DS1225AB-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 150ns 24-EDIP
  
  型号：DS1220AD-150+
  仓库库存编号：DS1220AD-150+-ND
  别名：DS1220AD150
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1230AB-150+
  仓库库存编号：DS1230AB-150+-ND
  别名：DS1230AB150
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1225AB-150IND+
  仓库库存编号：DS1225AB-150IND+-ND
  别名：DS1225AB150IND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1230W-150+
  仓库库存编号：DS1230W-150+-ND
  别名：DS1230W150
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1330WP-150+
  仓库库存编号：DS1330WP-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 8MBIT 150NS 36EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 150ns 36-EDIP
  
  型号：DS1265W-150+
  仓库库存编号：DS1265W-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 150ns 24-EDIP
  
  型号：DS1220AB-150+
  仓库库存编号：DS1220AB-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Fujitsu Electronics America, Inc.
  IC FRAM 256KBIT 150NS 28SOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-SOP
  
  型号：MB85R256FPNF-G-JNERE2
  仓库库存编号：865-1258-1-ND
  别名：865-1258-1
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Fujitsu Electronics America, Inc.
  IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 28-TSOP I
  
  型号：MB85R256FPFCN-G-BNDE1
  仓库库存编号：865-1170-ND
  别名：865-1170
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Fujitsu Electronics America, Inc.
  IC FRAM 1MBIT 150NS 48TSOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 150ns 48-TSOP
  
  型号：MB85R1002ANC-GE1
  仓库库存编号：865-1169-ND
  别名：865-1169
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Fujitsu Electronics America, Inc.
  IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 150ns 48-TSOP
  
  型号：MB85R4001ANC-GE1
  仓库库存编号：865-1254-ND
  别名：865-1254
  865-1254-1
  865-1254-1-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Fujitsu Electronics America, Inc.
  IC FRAM 4MBIT 150NS 48TSOP
  详细描述：FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 150ns 48-TSOP
  
  型号：MB85R4002ANC-GE1
  仓库库存编号：865-1253-ND
  别名：865-1253
  865-1253-1
  865-1253-1-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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  IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24EDIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 16Kb （2K x 8） 并联 150ns 24-EDIP
  
  型号：DS1220AB-150IND+
  仓库库存编号：DS1220AB-150IND+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC SRAM 64KBIT 150NS 28DIP
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 150ns 28-EDIP
  
  型号：DS1225Y-150IND+
  仓库库存编号：DS1225Y-150IND+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 256KBIT 150NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 150ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1230WP-150+
  仓库库存编号：DS1230WP-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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• Maxim Integrated
  IC NVSRAM 1MBIT 150NS 34PCM
  详细描述：NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 150ns 34-PowerCap 模块
  
  型号：DS1345WP-150+
  仓库库存编号：DS1345WP-150+-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 150ns,
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