ALD1105SBL,Advanced Linear Devices Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

ALD1105SBL - 

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

Advanced Linear Devices Inc. ALD1105SBL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
ALD1105SBL
仓库库存编号:
1014-1011-ND
描述:
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 14-SOIC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

ALD1105SBL产品属性


产品规格
  封装/外壳  14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Advanced Linear Devices Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  0°C ~ 70°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  14-SOIC  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  500 欧姆 @ 5V  
  FET 类型  2 N 和 2 P 沟道(双)配对  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  -  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  3pF @ 5V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1V @ 1μA  
  漏源电压(Vdss)  10.6V  
  功率 - 最大值  500mW  
关键词         

产品资料
数据列表 ALD1105
标准包装 50
其它名称 1014-1011

ALD1105SBL您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

ALD1105SBL相关搜索

封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  Advanced Linear Devices Inc. 封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)   制造商 Advanced Linear Devices Inc.  Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc.  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.   安装类型 表面贴装  Advanced Linear Devices Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)  Advanced Linear Devices Inc. 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)   系列 -  Advanced Linear Devices Inc. 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -   包装 管件   Advanced Linear Devices Inc. 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件   Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Advanced Linear Devices Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 14-SOIC  Advanced Linear Devices Inc. 供应商器件封装 14-SOIC  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 14-SOIC  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 14-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V   FET 类型 2 N 和 2 P 沟道(双)配对  Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 2 N 和 2 P 沟道(双)配对  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 和 2 P 沟道(双)配对  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 和 2 P 沟道(双)配对   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  Advanced Linear Devices Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 5V   FET 功能 标准  Advanced Linear Devices Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1μA  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1μA  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1μA   漏源电压(Vdss) 10.6V  Advanced Linear Devices Inc. 漏源电压(Vdss) 10.6V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 10.6V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 10.6V   功率 - 最大值 500mW  Advanced Linear Devices Inc. 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号