ALD1106PBL,Advanced Linear Devices Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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ALD1106PBL - 

MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

Advanced Linear Devices Inc. ALD1106PBL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ALD1106PBL
仓库库存编号：
1014-1012-ND
描述：
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 14-PDIP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

ALD1106PBL产品属性


产品规格
  封装/外壳  14-DIP（0.300"，7.62mm）  
  制造商  Advanced Linear Devices Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  0°C ~ 70°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  14-PDIP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  500 欧姆 @ 5V  
  FET 类型  4 N 沟道，配对  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  -  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3pF @ 5V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 1μA  
  漏源电压（Vdss）  10.6V  
  功率 - 最大值  500mW  
关键词         

产品资料
数据列表 ALD1106
标准包装 50
其它名称 1014-1012

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