ALD1107PBL,Advanced Linear Devices Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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ALD1107PBL
ALD1107PBL -
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc.
制造商产品编号:
ALD1107PBL
仓库库存编号:
1014-1014-ND
描述:
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 4 P-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 14-PDIP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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ALD1107PBL产品属性
产品规格
封装/外壳
14-DIP(0.300",7.62mm)
制造商
Advanced Linear Devices Inc.
安装类型
通孔
工作温度
0°C ~ 70°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
14-PDIP
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1800 欧姆 @ 5V
FET 类型
4 P 沟道,配对
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3pF @ 5V
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1μA
漏源电压(Vdss)
10.6V
功率 - 最大值
500mW
关键词
产品资料
数据列表
ALD1107,117
标准包装
50
其它名称
1014-1014
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 14-PDIP
型号:
ALD1105PBL
仓库库存编号:
1014-1010-ND
别名:1014-1010
无铅
搜索
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 14-PDIP
型号:
ALD1106PBL
仓库库存编号:
1014-1012-ND
别名:1014-1012
无铅
搜索
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD1116PAL
仓库库存编号:
1014-1046-ND
别名:1014-1046
无铅
搜索
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD1117PAL
仓库库存编号:
1014-1048-ND
别名:1014-1048
无铅
搜索
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封装/外壳 14-DIP(0.300",7.62mm)
Advanced Linear Devices Inc. 封装/外壳 14-DIP(0.300",7.62mm)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 14-DIP(0.300",7.62mm)
Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 14-DIP(0.300",7.62mm)
制造商 Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.
Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.
安装类型 通孔
Advanced Linear Devices Inc. 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 通孔
Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 通孔
工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)
Advanced Linear Devices Inc. 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)
Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)
系列 -
Advanced Linear Devices Inc. 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
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包装 管件
Advanced Linear Devices Inc. 包装 管件
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件
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零件状态 在售
Advanced Linear Devices Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
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供应商器件封装 14-PDIP
Advanced Linear Devices Inc. 供应商器件封装 14-PDIP
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 14-PDIP
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1800 欧姆 @ 5V
Advanced Linear Devices Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1800 欧姆 @ 5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1800 欧姆 @ 5V
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FET 类型 4 P 沟道,配对
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3pF @ 5V
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FET 功能 标准
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1μA
Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1μA
漏源电压(Vdss) 10.6V
Advanced Linear Devices Inc. 漏源电压(Vdss) 10.6V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 10.6V
Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 10.6V
功率 - 最大值 500mW
Advanced Linear Devices Inc. 功率 - 最大值 500mW
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW
Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW
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