ALD1108EPCL,Advanced Linear Devices Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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ALD1108EPCL - 

MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

  • 非库存货
Advanced Linear Devices Inc. ALD1108EPCL
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
ALD1108EPCL
仓库库存编号:
ALD1108EPCL-ND
描述:
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10V 600mW Through Hole 16-PDIP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ALD1108EPCL产品属性


产品规格
  封装/外壳  16-DIP(0.300",7.62mm)  
  制造商  Advanced Linear Devices Inc.  
  安装类型  通孔  
  工作温度  0°C ~ 70°C(TJ)  
  系列  EPAD?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  16-PDIP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  500 欧姆 @ 5V  
  FET 类型  4 N 沟道,配对  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  -  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  25pF @ 5V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.01V @ 1μA  
  漏源电压(Vdss)  10V  
  功率 - 最大值  600mW  
关键词         

产品资料
数据列表 ALD1108,10E
标准包装 50

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封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)  Advanced Linear Devices Inc. 封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 16-DIP(0.300",7.62mm)   制造商 Advanced Linear Devices Inc.  Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc.  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.   安装类型 通孔  Advanced Linear Devices Inc. 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)  Advanced Linear Devices Inc. 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C(TJ)   系列 EPAD?  Advanced Linear Devices Inc. 系列 EPAD?  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 EPAD?  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 EPAD?   包装 管件   Advanced Linear Devices Inc. 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件   Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Advanced Linear Devices Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 16-PDIP  Advanced Linear Devices Inc. 供应商器件封装 16-PDIP  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 16-PDIP  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 16-PDIP   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 欧姆 @ 5V   FET 类型 4 N 沟道,配对  Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 4 N 沟道,配对  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 4 N 沟道,配对  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 4 N 沟道,配对   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  Advanced Linear Devices Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 25pF @ 5V   FET 功能 标准  Advanced Linear Devices Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.01V @ 1μA  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.01V @ 1μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.01V @ 1μA  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.01V @ 1μA   漏源电压(Vdss) 10V  Advanced Linear Devices Inc. 漏源电压(Vdss) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 10V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 10V   功率 - 最大值 600mW  Advanced Linear Devices Inc. 功率 - 最大值 600mW  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 600mW  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 600mW  
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