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产品规格

封装/外壳	16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Advanced Linear Devices Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	0°C ~ 70°C（TJ）
系列	EPAD?
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	16-SOIC
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	500 欧姆 @ 3.6V
FET 类型	4 N 沟道，配对
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	12mA，3mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2.5pF @ 5V
FET 功能	耗尽模式
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	360mV @ 1μA
漏源电压（Vdss）	10.6V
功率 - 最大值	500mW
关键词

产品资料

数据列表	ALD114804,904(A)
标准包装	50
其它名称	1014-1056

封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Advanced Linear Devices Inc. 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Advanced Linear Devices Inc.  Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.   安装类型 表面贴装  Advanced Linear Devices Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）  Advanced Linear Devices Inc. 工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）   系列 EPAD?  Advanced Linear Devices Inc. 系列 EPAD?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 EPAD?  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 EPAD?   包装 管件   Advanced Linear Devices Inc. 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Advanced Linear Devices Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 16-SOIC  Advanced Linear Devices Inc. 供应商器件封装 16-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 3.6V  Advanced Linear Devices Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 3.6V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 3.6V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 3.6V   FET 类型 4 N 沟道，配对  Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 4 N 沟道，配对  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 4 N 沟道，配对  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 4 N 沟道，配对   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12mA，3mA  Advanced Linear Devices Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12mA，3mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12mA，3mA  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12mA，3mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V   FET 功能 耗尽模式  Advanced Linear Devices Inc. FET 功能 耗尽模式  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 耗尽模式  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 耗尽模式   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 360mV @ 1μA  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 360mV @ 1μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 360mV @ 1μA  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 360mV @ 1μA   漏源电压（Vdss） 10.6V  Advanced Linear Devices Inc. 漏源电压（Vdss） 10.6V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 10.6V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 10.6V   功率 - 最大值 500mW  Advanced Linear Devices Inc. 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW