ALD114904SAL,Advanced Linear Devices Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

ALD114904SAL - 

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Advanced Linear Devices Inc. ALD114904SAL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ALD114904SAL
仓库库存编号：
1014-1064-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Surface Mount 8-SOIC
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

ALD114904SAL产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Advanced Linear Devices Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  0°C ~ 70°C（TJ）  
  系列  EPAD?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  500 欧姆 @ 3.6V  
  FET 类型  2 N 沟道（双）配对  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  12mA，3mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2.5pF @ 5V  
  FET 功能  耗尽模式  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  360mV @ 1μA  
  漏源电压（Vdss）  10.6V  
  功率 - 最大值  500mW  
关键词         

产品资料
数据列表 ALD114804,904(A)
标准包装 50
其它名称 1014-1064

ALD114904SAL您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

ALD114904SAL相关搜索

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Advanced Linear Devices Inc. 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Advanced Linear Devices Inc.  Advanced Linear Devices Inc. 制造商 Advanced Linear Devices Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Advanced Linear Devices Inc.   安装类型 表面贴装  Advanced Linear Devices Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）  Advanced Linear Devices Inc. 工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）   系列 EPAD?  Advanced Linear Devices Inc. 系列 EPAD?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 EPAD?  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 EPAD?   包装 管件   Advanced Linear Devices Inc. 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  Advanced Linear Devices Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOIC  Advanced Linear Devices Inc. 供应商器件封装 8-SOIC  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOIC   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 3.6V  Advanced Linear Devices Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 3.6V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 3.6V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 3.6V   FET 类型 2 N 沟道（双）配对  Advanced Linear Devices Inc. FET 类型 2 N 沟道（双）配对  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）配对  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）配对   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12mA，3mA  Advanced Linear Devices Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12mA，3mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12mA，3mA  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 12mA，3mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V   FET 功能 耗尽模式  Advanced Linear Devices Inc. FET 功能 耗尽模式  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 耗尽模式  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 耗尽模式   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 360mV @ 1μA  Advanced Linear Devices Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 360mV @ 1μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 360mV @ 1μA  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 360mV @ 1μA   漏源电压（Vdss） 10.6V  Advanced Linear Devices Inc. 漏源电压（Vdss） 10.6V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 10.6V  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 10.6V   功率 - 最大值 500mW  Advanced Linear Devices Inc. 功率 - 最大值 500mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW  Advanced Linear Devices Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 500mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号