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产品规格

封装/外壳	66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）
制造商	Alliance Memory, Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 105°C（TA）
系列	汽车级，AEC-Q100
包装	托盘
零件状态	已不再提供
电压 - 电源	2.3 V ~ 2.7 V
供应商器件封装	66-TSOP II
存储容量	64Mb （4M x 16）
技术	SDRAM - DDR
时钟频率	200MHz
存储器类型	易失
访问时间	700ps
写周期时间 - 字，页	15ns
存储器格式	DRAM
存储器接口	并联
关键词

产品资料

数据列表	AS4C4M16D1A-5TAN Preliminary
标准包装	108
其它名称	1450-1316

封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）  Alliance Memory, Inc. 封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）  存储器 封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）  Alliance Memory, Inc. 存储器 封装/外壳 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽）   制造商 Alliance Memory, Inc.  Alliance Memory, Inc. 制造商 Alliance Memory, Inc.  存储器 制造商 Alliance Memory, Inc.  Alliance Memory, Inc. 存储器 制造商 Alliance Memory, Inc.   安装类型 表面贴装  Alliance Memory, Inc. 安装类型 表面贴装  存储器 安装类型 表面贴装  Alliance Memory, Inc. 存储器 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 105°C（TA）  Alliance Memory, Inc. 工作温度 -40°C ~ 105°C（TA）  存储器 工作温度 -40°C ~ 105°C（TA）  Alliance Memory, Inc. 存储器 工作温度 -40°C ~ 105°C（TA）   系列 汽车级，AEC-Q100  Alliance Memory, Inc. 系列 汽车级，AEC-Q100  存储器 系列 汽车级，AEC-Q100  Alliance Memory, Inc. 存储器 系列 汽车级，AEC-Q100   包装 托盘   Alliance Memory, Inc. 包装 托盘   存储器 包装 托盘   Alliance Memory, Inc. 存储器 包装 托盘    零件状态  已不再提供  Alliance Memory, Inc. 零件状态  已不再提供  存储器 零件状态  已不再提供  Alliance Memory, Inc. 存储器 零件状态  已不再提供   电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V  Alliance Memory, Inc. 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V  存储器 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V  Alliance Memory, Inc. 存储器 电压 - 电源 2.3 V ~ 2.7 V   供应商器件封装 66-TSOP II  Alliance Memory, Inc. 供应商器件封装 66-TSOP II  存储器 供应商器件封装 66-TSOP II  Alliance Memory, Inc. 存储器 供应商器件封装 66-TSOP II   存储容量 64Mb （4M x 16）  Alliance Memory, Inc. 存储容量 64Mb （4M x 16）  存储器 存储容量 64Mb （4M x 16）  Alliance Memory, Inc. 存储器 存储容量 64Mb （4M x 16）   技术 SDRAM - DDR  Alliance Memory, Inc. 技术 SDRAM - DDR  存储器 技术 SDRAM - DDR  Alliance Memory, Inc. 存储器 技术 SDRAM - DDR   时钟频率 200MHz  Alliance Memory, Inc. 时钟频率 200MHz  存储器 时钟频率 200MHz  Alliance Memory, Inc. 存储器 时钟频率 200MHz   存储器类型 易失  Alliance Memory, Inc. 存储器类型 易失  存储器 存储器类型 易失  Alliance Memory, Inc. 存储器 存储器类型 易失   访问时间 700ps  Alliance Memory, Inc. 访问时间 700ps  存储器 访问时间 700ps  Alliance Memory, Inc. 存储器 访问时间 700ps   写周期时间 - 字，页 15ns  Alliance Memory, Inc. 写周期时间 - 字，页 15ns  存储器 写周期时间 - 字，页 15ns  Alliance Memory, Inc. 存储器 写周期时间 - 字，页 15ns   存储器格式 DRAM  Alliance Memory, Inc. 存储器格式 DRAM  存储器 存储器格式 DRAM  Alliance Memory, Inc. 存储器 存储器格式 DRAM   存储器接口 并联  Alliance Memory, Inc. 存储器接口 并联  存储器 存储器接口 并联  Alliance Memory, Inc. 存储器 存储器接口 并联