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AO7413_030
AO7413_030 -
MOSFET P-CH SC70-3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AO7413_030
仓库库存编号:
AO7413_030-ND
描述:
MOSFET P-CH SC70-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 1.4A(Ta) 350mW(Ta) SC-70-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AO7413_030产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-70,SOT-323
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SC-70-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
4.5nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
113 毫欧 @ 1.4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
400pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
AO7413
标准包装
3,000
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封装/外壳 SC-70,SOT-323
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 SC-70,SOT-323
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-70,SOT-323
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 SC-70-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 SC-70-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-70-3
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±12V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vgs(最大值) ±12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.5nC @ 4.5V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.5nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.5nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 113 毫欧 @ 1.4A,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 113 毫欧 @ 1.4A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,10V
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FET 类型 P 沟道
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.4A(Ta)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.4A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 400pF @ 10V
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FET 功能 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
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漏源电压(Vdss) 20V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压(Vdss) 20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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