AO7600_001,Alpha & Omega Semiconductor Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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AO7600_001
AO7600_001 -
MOSFET N/P-CH SC70-6
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AO7600_001
仓库库存编号:
AO7600_001-ND
描述:
MOSFET N/P-CH SC70-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 900mA 300mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AO7600_001产品属性
产品规格
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SC-70-6(SOT-363)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
1.9nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
300 毫欧 @ 900mA,4.5V
FET 类型
N 和 P 沟道互补型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
900mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
120pF @ 10V
FET 功能
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
300mW
关键词
产品资料
数据列表
AO7600
标准包装
3,000
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封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
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供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.9nC @ 4.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.9nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 300 毫欧 @ 900mA,4.5V
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FET 类型 N 和 P 沟道互补型
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 N 和 P 沟道互补型
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道互补型
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 900mA
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 120pF @ 10V
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FET 功能 标准
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
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功率 - 最大值 300mW
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 300mW
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