AO8830,Alpha & Omega Semiconductor Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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AO8830
AO8830 -
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AO8830
仓库库存编号:
785-1099-1-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 1.5W Surface Mount 8-TSSOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AO8830产品属性
产品规格
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
8-TSSOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
5.2nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
27 毫欧 @ 6A,10V
FET 类型
2 N 沟道(双)共漏
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
290pF @ 10V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
1.5W
关键词
产品资料
数据列表
AO8830
TSSOP8 Pkg Drawing
其它有关文件
AOS Green Policy
标准包装
1
其它名称
785-1099-1
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封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
供应商器件封装 8-TSSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 8-TSSOP
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-TSSOP
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 4.5V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.2nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 6A,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 27 毫欧 @ 6A,10V
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FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 10V
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FET 功能 逻辑电平门
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 功能 逻辑电平门
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
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漏源电压(Vdss) 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V
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功率 - 最大值 1.5W
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.5W
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