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AOB11S60L
AOB11S60L -
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
不提供增值包装;备有另选包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AOB11S60L
仓库库存编号:
785-1246-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 178W(Tc) TO-263(D2Pak)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AOB11S60L产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
aMOS??
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
TO-263(D2Pak)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
11nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
399 毫欧 @ 3.8A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
545pF @ 100V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
178W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
AOT/AOB/AOTF11S60
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing
其它有关文件
AOS Green Policy
标准包装
1
其它名称
785-1246-1
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封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 aMOS??
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 aMOS??
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 已不再提供
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供应商器件封装 TO-263(D2Pak)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263(D2Pak)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 399 毫欧 @ 3.8A,10V
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 545pF @ 100V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 545pF @ 100V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.1V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.1V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 178W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 178W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 600V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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