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AOB266L - 

MOSFET N-CH 60V 18A TO263

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB266L
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
AOB266L
仓库库存编号:
785-1328-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 18A TO263
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 18A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),268W(Tc) TO-263(D2Pak)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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AOB266L产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Alpha & Omega Semiconductor Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  TO-263(D2Pak)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  80nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3.2 毫欧 @ 20A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  6V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  18A(Ta),140A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  6800pF @ 30V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.2V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.1W(Ta),268W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 AOT266L/AOB266L
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing
其它有关文件 AOS Green Policy
标准包装 1
其它名称 785-1328-1

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