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AOB442 - 

MOSFET N-CH 40V 21A TO263

  • 已过时的产品。
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB442
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
AOB442
仓库库存编号:
AOB442-ND
描述:
MOSFET N-CH 40V 21A TO263
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 40V 21A(Ta),105A(Tc) 3.5W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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AOB442产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Alpha & Omega Semiconductor Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  SDMOS??  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-263(D2Pak)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  90nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  4.2 毫欧 @ 20A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  21A(Ta),105A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  5600pF @ 20V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.3V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  3.5W(Ta),150W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  40V  
关键词         

产品资料
数据列表 AOB442
TO263 (D2PAK) Pkg Drawing
其它有关文件 AOS Green Policy
标准包装 800

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封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB   制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.   安装类型 表面贴装  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 SDMOS??  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 SDMOS??  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SDMOS??  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SDMOS??   包装 带卷(TR)   Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)   Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-263(D2Pak)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 TO-263(D2Pak)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263(D2Pak)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263(D2Pak)   技术 MOSFET(金属氧化物)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 90nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 20A,10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 20A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 20A,10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4.2 毫欧 @ 20A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V   FET 类型 N 沟道  Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),105A(Tc)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),105A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),105A(Tc)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 21A(Ta),105A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 20V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 20V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5600pF @ 20V   FET 功能 -  Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 250μA   功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),150W(Tc)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),150W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),150W(Tc)  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),150W(Tc)   漏源电压(Vdss) 40V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压(Vdss) 40V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 40V  
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