AOD2904,Alpha & Omega Semiconductor Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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AOD2904
AOD2904 -
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AOD2904
仓库库存编号:
785-1736-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 100V 10.5A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AOD2904产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-252,(D-Pak)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
52nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
10 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
10.5A(Ta),70A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2785pF @ 50V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.7W(Ta),125W(Tc)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
AOD2904
TO252 (DPAK) Pkg Drawing
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AOS Green Policy
标准包装
1
其它名称
785-1736-1
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封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
系列 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252,(D-Pak)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 52nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 10 毫欧 @ 20A,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10.5A(Ta),70A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2785pF @ 50V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2785pF @ 50V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2785pF @ 50V
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FET 功能 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 250μA
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 2.7W(Ta),125W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.7W(Ta),125W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 100V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压(Vdss) 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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