AON3818,Alpha & Omega Semiconductor Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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AON3818
AON3818 -
MOSFET 2N-CH 24V 8A
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AON3818
仓库库存编号:
AON3818-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 24V 8A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A 2.7W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AON3818产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
AlphaMOS
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-DFN(2.9x2.3)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
15nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
13.5 毫欧 @ 8A,4.5V
FET 类型
2 N 沟道(双)共漏
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
840pF @ 12V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
24V
功率 - 最大值
2.7W
关键词
产品资料
数据列表
AON3818
DFN3x3-8L-NEP Pkg Drawing
标准包装
3,000
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封装/外壳 8-SMD,扁平引线
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 8-SMD,扁平引线
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD,扁平引线
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SMD,扁平引线
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 AlphaMOS
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 AlphaMOS
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 AlphaMOS
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售
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供应商器件封装 8-DFN(2.9x2.3)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 8-DFN(2.9x2.3)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-DFN(2.9x2.3)
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 4.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 13.5 毫欧 @ 8A,4.5V
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FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 12V
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 840pF @ 12V
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FET 功能 逻辑电平门
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 功能 逻辑电平门
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
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漏源电压(Vdss) 24V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压(Vdss) 24V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 24V
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功率 - 最大值 2.7W
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 功率 - 最大值 2.7W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.7W
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