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AON6718L_101
AON6718L_101 -
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AON6718L_101
仓库库存编号:
AON6718L_101-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),80A(Tc) 2.1W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AON6718L_101产品属性
产品规格
封装/外壳
8-DFN
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
SRFET??
包装
散装
零件状态
过期
供应商器件封装
8-DFN(5x6)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
72nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
3.7 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Ta),80A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4463pF @ 15V
FET 功能
肖特基二极管(体)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),83W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
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封装/外壳 8-DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 8-DFN
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-DFN
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 SRFET??
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 SRFET??
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包装 散装
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装
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零件状态 过期
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 8-DFN(5x6)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 8-DFN(5x6)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-DFN(5x6)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 20A,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 20A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 18A(Ta),80A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4463pF @ 15V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4463pF @ 15V
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FET 功能 肖特基二极管(体)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管(体)
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),83W(Tc)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),83W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),83W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 30V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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