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产品规格

封装/外壳	8-PowerWDFN
制造商	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	8-DFN-EP（5x6）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	13nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	5.2 毫欧 @ 20A，10V
FET 类型	2 N 沟道（双）非对称型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	19A，26A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	820pF @ 15V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	30V
功率 - 最大值	3.1W
关键词

产品资料

数据列表	AON6998 DFN5x6D_8L_EP2_S Pkg Drawing
标准包装	1
其它名称	785-1749-1

封装/外壳 8-PowerWDFN  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 8-PowerWDFN  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-PowerWDFN   制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.   安装类型 表面贴装  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Alpha & Omega Semiconductor Inc. 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6）  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6）  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-DFN-EP（5x6）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 20A，10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 20A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 20A，10V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.2 毫欧 @ 20A，10V   FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A，26A  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A，26A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A，26A  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A，26A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 15V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 15V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 15V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 15V   FET 功能 标准  Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 30V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压（Vdss） 30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 30V   功率 - 最大值 3.1W  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 功率 - 最大值 3.1W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 3.1W  Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 3.1W