AON7418,Alpha & Omega Semiconductor Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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AON7418
AON7418 -
MOSFET N-CH 30V 46A 8DFN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AON7418
仓库库存编号:
785-1308-1-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 46A 8DFN
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 46A(Ta),50A(Tc) 6.2W(Ta),83W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AON7418产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerWDFN
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-DFN-EP(3.3x3.3)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
65nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
1.7 毫欧 @ 20A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
46A(Ta),50A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2994pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
6.2W(Ta),83W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
AON7418
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标准包装
1
其它名称
785-1308-1
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),150A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6512
仓库库存编号:
785-1366-1-ND
别名:785-1366-1
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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详细描述:表面贴装 P 沟道 14.5A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),29W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
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仓库库存编号:
785-1306-1-ND
别名:785-1306-1
无铅
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型号:
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仓库库存编号:
1219-1078-1-ND
别名:1219-1078-1
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 50A 8-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Ta),50A(Tc) 6.2W(Ta),83.3W(Tc) 8-DFN-EP(3.3x3.3)
型号:
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仓库库存编号:
785-1633-1-ND
别名:785-1633-1
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),174A(Tc) 2.8W(Ta),65W(Tc) Power33
型号:
FDMC8010ET30
仓库库存编号:
FDMC8010ET30CT-ND
别名:FDMC8010ET30CT
无铅
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封装/外壳 8-PowerWDFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 封装/外壳 8-PowerWDFN
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerWDFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-PowerWDFN
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型 表面贴装
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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包装 剪切带(CT)
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供应商器件封装 8-DFN-EP(3.3x3.3)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 65nC @ 10V
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FET 类型 N 沟道
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 46A(Ta),50A(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 46A(Ta),50A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2994pF @ 15V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2994pF @ 15V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2994pF @ 15V
FET 功能 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 6.2W(Ta),83W(Tc)
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 功率耗散(最大值) 6.2W(Ta),83W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 6.2W(Ta),83W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 30V
Alpha & Omega Semiconductor Inc. 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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