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AOT11S60L
AOT11S60L -
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商产品编号:
AOT11S60L
仓库库存编号:
785-1250-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 11A(Tc) 178W(Tc) TO-220
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AOT11S60L产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
aMOS??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
11nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
399 毫欧 @ 3.8A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
545pF @ 100V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
178W(Tc)
漏源电压(Vdss)
600V
关键词
产品资料
数据列表
AO(T,B,TF)11S60
TO220 Pkg Drawing
其它有关文件
AOS Green Policy
标准包装
1,000
其它名称
785-1250-5
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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漏源电压(Vdss) 600V
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 600V
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